Descripción:

Transistor Bipolar (BJT) NPN.

Características:

Encapsulado: TO-92

Especificaciones:

• IC max: 100 mA
• FT : 300 MHz
• PTOT: 500 mW
• VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
• hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V